01 / 产品信息
产品概述
Wayon（维安） WML080N10HG2（MOSFET(SGT N沟道)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 维安
- 型号
- WML080N10HG2
- 品类
- MOSFET(SGT N沟道)
- 封装
- TO-220F
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
12 项结构与连接
- Type
- N-Channel SGT Power MOSFET
- VDS
- 100 V
- ID
- 42 A (@ TC=25°C)
- RDS(on)
- 7.3 mΩ typ / 8.8 mΩ max (@ VGS=10 V)
- VGS
- ±20 V
- VGS(th)
- 3 V (typ)
- Package
- TO-220F
- Ciss
- 1965 pF
- Coss
- 385 pF
- Crss
- 9 pF
- PD
- 28.4 W
- Tj Range
- -55 to +150 °C
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。