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维安 / MOSFET(SGT N沟道)

WMK115N15HG4

Wayon（维安） WMK115N15HG4（MOSFET(SGT N沟道)）为原装正品功率分立器件，耐压、电流与热阻参数以官方 Datasheet 为准，欢迎询价索样。

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产品标识

TO-220 通用封装等距示意，非该型号实物图

等距示意图，可切顶视或旋转 3D。

TO-220 · 通用封装示意

按目录封装字段展示，尚未逐料号核对。尺寸、极性和引脚定义请查原厂资料。查看型号资料 ↓

封装结构参考 · 非工程尺寸图

封装: TO-220

01 / 产品信息

产品概述

Wayon（维安） WMK115N15HG4（MOSFET(SGT N沟道)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。

厂商: 维安
型号: WMK115N15HG4
品类: MOSFET(SGT N沟道)
封装: TO-220
成色: 全新原装
生命周期: 与原厂确认
交期 / 最小起订量: 以报价为准

02 / 技术资料

技术参数

28 项

结构与连接

Single Pulse Avalanche Energy2: 204.8 mJ
Total Power Dissipation TC=25°C: 178.6 W
RG = 3Ω: = 20A
Forward Transconductance4 gfs VDS = 10V, ID = 20A: 69 S
Input Capacitance Ciss: 3310
Output Capacitance Coss: 268 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss: 9.4
Total Gate Charge Qg: 45
Gate-Source Charge Qgs: 15 nC
Gate-Drain Charge Qgd: 8.5
Turn-On Delay Time td(on): 16
Rise Time tr VGS =10V, VDD = 75V: 12
Turn-Off Delay Time td(off): 30
Fall Time tf: 18
Body Diode Reverse Recovery Time trr: 76 ns
Body Diode Reverse Recovery Charge Qrr: 182 nC

性能与环境

Drain-Source Voltage: 150 V
Gate-Source Voltage: ±20 V
Operating Junction and Storage Temperature Range TJ , TSTG: 55 to 150 °C
Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA: 52 °C/W
Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC: 0.7 °C/W
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 250µA: 150 V
Gate-body Leakage Current lGSS VDS = 0V, VGS = ±20V: ±100 nA
Gate-Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS, ID = 250µA: 3 V
Drain-Source On-Resistance4 RDS(on) VGS = 10V, ID = 20A: 9.7 mΩ
Gate Resistance Rg f = 1MHz: 3.2 Ω
Diode Forward Voltage4 VSD IS = 20A, VGS = 0V: 1.2 V
Continuous Source Current TC=25°C IS: 88 A

03 / 原厂资料

规格与文档

请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

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请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。