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维安 / MOSFET(SGT N沟道)

WMB058NV6HG4

Wayon(维安) WMB058NV6HG4(MOSFET(SGT N沟道))为原装正品功率分立器件,耐压、电流与热阻参数以官方 Datasheet 为准,欢迎询价索样。

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
维安MOSFET(SGT N沟道)
WMB058NV6HG4
产品外观请参考原厂资料
封装
PDFN5060-8L

产品概述

Wayon(维安) WMB058NV6HG4(MOSFET(SGT N沟道))面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源,Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。

厂商
维安
型号
WMB058NV6HG4
品类
MOSFET(SGT N沟道)
封装
PDFN5060-8L
成色
全新原装
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

3 项

结构与连接

Type
N-Channel SGT MOSFET
VDS
60 V
VGS
±20 V

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。