01 / 产品信息
产品概述
Wayon（维安） WMB010N04LG4（MOSFET(SGT N沟道)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 维安
- 型号
- WMB010N04LG4
- 品类
- MOSFET(SGT N沟道)
- 封装
- PDFN5060-8L
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
30 项结构与连接
- Single Pulse Avalanche Energy2
- 627.2 mJ
- Total Power Dissipation TC=25°C
- 156 W
- VGS = 10V, ID = 20A
- 0.75
- VGS = 4.5V, ID = 10A
- 1.05
- Forward Transconductance4 gfs VDS = 10V, ID = 20A
- 105 S
- Input Capacitance Ciss
- 6650
- Output Capacitance Coss
- 1495 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 103
- Total Gate Charge Qg
- 118
- Gate-Source Charge Qgs
- 19 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 22.2
- Turn-on Delay Time td(on)
- 13.8
- Rise Time tr VGS = 10V, VDD = 20V
- 14
- Turn-off Delay Time td(off) RG = 3Ω, ID= 20A
- 91
- Fall Time tf
- 43
- Body Diode Reverse Recovery Time trr
- 66 ns
- Body Diode Reverse Recovery Charge Qrr
- 39.6 nC
- W0803876 – Rev3.0
- 8
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 40 V
- Gate-Source Voltage
- ±20 V
- Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA
- 45 °C/W
- Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC
- 0.8 °C/W
- Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 250µA
- 40 V
- Gate-body Leakage current lGSS VDS = 0V, VGS = ±20V
- ±100 nA
- Zero Gate Voltage Drain TJ=25°C
- 1
- Current TJ=100°C
- 100
- Gate-Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS, ID = 250µA
- 1.7 V
- Gate Resistance Rg f=1MHz
- 2.2 Ω
- Diode Forward Voltage4 VSD IS = 20A, VGS = 0V
- 1.2 V
- Continuous Source Current TC=25°C IS
- 302 A
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。