01 / 产品信息
产品概述
N 沟道 MOSFET, 100V, 2A
- 厂商
- 维安
- 型号
- WM10N20M
- 品类
- 小信号MOSFET
- 成色
- 全新原装
- 合规
- RoHS Compliant, Halogen-Free
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
16 项结构与连接
- Type
- N-Channel Enhancement MOSFET
- VDS
- 100 V
- ID
- 2 A
- VGS
- ±20 V
- RDS(on) max @VGS=10V
- 280 mΩ
- RDS(on) typ @VGS=10V
- 220 mΩ
- RDS(on) max @VGS=4.5V
- 310 mΩ
- VGS(th)
- 1 ~ 2 V
- Qg
- 5.3 nC
- Ciss
- 440 pF
- Coss
- 14 pF
- Crss
- 10 pF
- PD
- 1.2 W
- IDM (pulsed)
- 8 A
- Package
- SOT-23
性能与环境
- Operating Junction Temperature
- -55 to 150 °C
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。