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维安 / IGBT(分立器件)

WGD75JP120FFB1

Wayon(维安) WGD75JP120FFB1(IGBT(分立器件))为原装正品功率分立器件,耐压、电流与热阻参数以官方 Datasheet 为准,欢迎询价索样。

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
维安IGBT(分立器件)
WGD75JP120FFB1
产品外观请参考原厂资料
封装
IGBT Module

产品概述

Wayon(维安) WGD75JP120FFB1(IGBT(分立器件))面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源,Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。

厂商
维安
型号
WGD75JP120FFB1
品类
IGBT(分立器件)
封装
IGBT Module
成色
全新原装
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

7 项

结构与连接

Type
IGBT + FRD (antiparallel diode)
VCES
1200 V
IC
75 A (nominal)
VGE(th)
5.3 V (typ)
VCE(sat)
1.9 V
VF (diode)
3 V
Package
TO-247PLUS

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。