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TI / 电源管理芯片

TPS2815DR

双路 2 A 高速 MOSFET 栅极驱动器,每通道双与非输入,封装 8 引脚 SOIC。

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
TI TPS2815DR
图片仅供参考
封装
SOIC-8 (D)

产品概述

TPS2815 是一款双通道同相高速 MOSFET 驱动器,每通道提供 2 A 源/灌电流,上升 14 ns、下降 15 ns。它工作于 4 V 至 14 V 供电,采用 CMOS 输入阈值与每通道双输入与非逻辑,典型传输延迟 25 ns。用于开关电源与电机控制中的低边 MOSFET 驱动。(注:NRND——不推荐用于新设计。)

厂商
TI
型号
TPS2815DR
品类
电源管理芯片
封装
SOIC-8 (D)
包装
卷带
成色
全新原装
合规
符合 RoHS
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

26 项

结构与连接

VCC = 5
4 V
VCC = 14
13 V
Input hysteresis VCC = 5
1.6 V
Input capacitance
10 pF
IO = −1 mA
9.75
IO = −100 mA
8
IO = 1 mA
0.25
IO = 100 mA
2
SLVS132F −
5 − REVI
tr Rise time VCC = 10
15 ns
tf Fall time VCC = 10
15 ns
tPHL Prop delay time high-to-low-level output VCC = 10
25 ns
tPLH Prop delay time low-to-high-level output VCC = 10
26 ns

性能与环境

Regulator input voltage range
40 V
Supply voltage
14 V
Continuous regulator output current
20 mA
Ambient temperature operating range
125 °C
Positive-going input threshold voltage VCC = 10
9 V
Negative-going input threshold voltage VCC = 10
1 V
Input current Inputs = 0 V or
1 µA
Peak output current VCC = 10
2 A
Output voltage 14 ≤ REG_IN ≤ 40 V, 0 ≤ IO ≤ 20 mA
13 V
Output voltage in dropout IO = 10 mA, REG_IN = 10
9 V
Supply current into VCC Inputs high or low
5 µA
Supply current into REG_IN REG_IN = 20 V, REG_OUT open
100 µA
Peak output current VCC = 10.5
2 A

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。