01 / 产品信息
产品概述
Microchip Technology SST39VF6401B-70-4I-EKE（存储器(EEPROM/Flash)）适用于嵌入式系统、数据采集与终端设备的程序与数据存储。原装正品，容量、时序与封装以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- Microchip
- 型号
- SST39VF6401B-70-4I-EKE
- 品类
- 存储器(EEPROM/Flash)
- 封装
- PLCC
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
34 项结构与连接
- Read3
- 18
- Program and Erase
- 35
- IALP Auto Low Power
- 20
- NEND1,2 Endurance
- 10,000
- TDR1 Data Retention
- 100
- ILTH1 Latch Up
- 100 + IDD
- CI/O1
- 12 pF
- CIN1
- 6 pF
- NEND1
- 2
- TPU-READ1 Power-up to Read Operation
- 100 µs
- TPU-WRITE1 Power-up to Program/Erase Operation
- 100 µs
- SST39VF6401B/SST39VF
- 6402B
- TRC Read Cycle Time
- 70 ns
- TCE Chip Enable Access Time
- 70 ns
- TAA Address Access Time
- 70 ns
- TOE Output Enable Access Time
- 35 ns
- TCLZ1 CE# Low to Active Output
- 0 ns
- TOLZ1 OE# Low to Active Output
- 0 ns
- TCHZ1 CE# High to High-Z Output
- 20 ns
- TOHZ1 OE# High to High-Z Output
- 20 ns
- TOH1 Output Hold from Address Change
- 0 ns
- TRP1 RST# Pulse Width
- 500 ns
- TRHR1 RST# High before Read
- 50 ns
- TRY1,2 RST# Pin Low to Read Mode
- 20 µs
性能与环境
- Active current
- 9 mA (ty
- Standby current
- 3 µA (t
- ISB Standby VDD Current
- 20
- ILI Input Leakage Current
- 1
- ILIW Input Leakage Current
- 10
- ILO Output Leakage Current
- 10
- VIL Input Low Voltage
- 0.8
- VILC Input Low Voltage (CMOS)
- 0.3
- VIH Input High Voltage 0
- 7VDD
- VOL Output Low Voltage
- 0.2
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。