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SKYSEMI / MOSFET

SS055N10TS

SKYSEMI SS055N10TS 是一款 TO-220 封装的 N 沟道功率 MOSFET,额定漏源电压为 100V,连续漏极电流为 130A,导通电阻低至 4.6mΩ(典型值)、5.5mΩ(最大值)。

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
TO-220 通用封装等距示意,非该型号实物图

等距示意图,可切顶视或旋转 3D。

TO-220 · 通用封装示意

按目录封装字段展示,尚未逐料号核对。尺寸、极性和引脚定义请查原厂资料。查看型号资料 ↓
封装结构参考 · 非工程尺寸图
封装
TO-220

产品概述

SKYSEMI SS055N10TS 是一款 TO-220 封装的 N 沟道功率 MOSFET,额定漏源电压为 100V,连续漏极电流为 130A,导通电阻低至 4.6mΩ(典型值)、5.5mΩ(最大值)。适用于电池管理系统(BMS)、电源、电机控制及 DC-DC 转换应用。

厂商
SKYSEMI
型号
SS055N10TS
品类
MOSFET
封装
TO-220
包装
卷带
成色
全新原装
合规
符合 RoHS
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

5 项

结构与连接

Type
N-MOSFET
VDSS
100 V
ID
120 A
RDS(on).typ
4.7 mΩ
Package
TO-220

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。