01 / 产品信息
产品概述
REASUNOS RS65R600D 是一款额定电压为 650V、额定电流为 7.3A 的N 沟道超结 MOSFET，采用 TO-252 封装。面向开关电源、适配器、功率因数校正（PFC）及工业电源转换。
- 厂商
- REASUNOS
- 型号
- RS65R600D
- 品类
- MOSFET
- 封装
- TO-252
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
10 项结构与连接
- RDS(on)
- 520mΩ@10V
- Gate Charge (Qg)
- 13nC@10V
- Pd - Power Dissipation
- 60W
- Ciss - Input Capacitance
- 471pF
- Package
- TO-252
- Number
- 1 N-channel
性能与环境
- Drain to Source Voltage
- 650V
- Current - Continuous Drain (Id)
- 7.3A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
- 2V
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。