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安世半导体 / MOSFET

PSMN2R6-40YS,115

Nexperia PSMN2R6-40YS,115(MOSFET)为原装正品功率分立器件,耐压、电流与热阻参数以官方 Datasheet 为准,欢迎询价索样。

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
安世半导体MOSFET
PSMN2R6-40YS,115
产品外观请参考原厂资料
封装
LFPAK56 (SOT669)

产品概述

Nexperia PSMN2R6-40YS,115(MOSFET)面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源,Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。

厂商
安世半导体
型号
PSMN2R6-40YS,115
品类
MOSFET
封装
LFPAK56 (SOT669)
包装
卷带
成色
全新原装
合规
符合 RoHS
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

7 项

结构与连接

Type
N-channel standard level MOSFET (TrenchMOS)
VDS
40 V
ID
100 A (Vgs=10V, Tmb=25°C)
RDS(on)
2.8 mΩ max @ Vgs=10V, Id=25A (2 mΩ typ)
VGS(th)
4 V max @ Id=1mA (3 V typ)
QG(tot)
63 nC @ Vgs=10V
Package
LFPAK56; Power-SO8 (SOT669)

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。