01 / 产品信息
产品概述
NIKOS PB544JU（MOSFET(功率)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- NIKOS
- 型号
- PB544JU
- 品类
- 功率MOSFET
- 封装
- DFN-6-EP(3x2)
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
27 项结构与连接
- Avalanche Energy3
- 26 mJ
- Junction-to-Ambient2 RJA
- 52 °C/W
- VDS =
- 16V, VGS = 0V
- VDS=10V, VGS=0
- 1 0
- VGS = 1.8V
- 11
- Forward Transconductance1 gfs VDS = 5V
- 32
- Input Capacitance Ciss
- 1584
- Output Capacitance Coss VGS = 0V, VDS = 10V
- 215
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 164
- Total Gate Charge Qg
- 18.4
- Gate-Source Charge2 Qgs
- 1.8
- Gate-Drain Charge2 Qgd
- 4.4
- Turn-On Delay Time2 td(on)
- 38
- Rise Time tr VDD =
- 10V
- Turn-Off Delay Time2 td(off) ID 3A, VGS = 4.5V
- 60
- Fall Time2 tf
- 25
- Reverse Recovery Time trr
- 20
- IF = 3A, dlF/dt
- = 100A / S
- Reverse Recovery Charge Qrr
- 9
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 20 V
- Gate-Source Voltage
- ±10 V
- Avalanche Current
- 23
- Junction & Storage Temperature Range TJ, Tstg
- 55 to 150 °C
- Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS =
- 0V, ID = 250A
- Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS =
- 0.4
- Continuous Current
- 2
- Forward Voltage VSD IF = 3A
- 1.2
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。