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NIKOS / 功率MOSFET

P0260ED

NIKOS P0260ED(MOSFET(功率))为原装正品功率分立器件,耐压、电流与热阻参数以官方 Datasheet 为准,欢迎询价索样。

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
TO-252 通用封装等距示意,非该型号实物图

等距示意图,可切顶视或旋转 3D。

TO-252 · 通用封装示意

按目录封装字段展示,尚未逐料号核对。尺寸、极性和引脚定义请查原厂资料。查看型号资料 ↓
封装结构参考 · 非工程尺寸图
封装
TO-252

产品概述

NIKOS P0260ED(MOSFET(功率))面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源,Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。

厂商
NIKOS
型号
P0260ED
品类
功率MOSFET
封装
TO-252
成色
全新原装
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

12 项

结构与连接

类型
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
RDS(ON) @ VGS=10V
4.4 Ω (max)
Total Gate Charge Qg
10.4 nC
Maximum Power Dissipation PD
56 W
Package
TO-252

性能与环境

Drain-Source Voltage VDS
600 V
Gate-Source Voltage VGS
±30 V
Continuous Drain Current ID
2 A
Continuous Drain Current (TC=100℃)
1.4 A
Pulsed Drain Current IDM
8 A
Gate Threshold Voltage VGS(th)
4 V (max)
Maximum Junction Temperature Tj
150 ℃

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。