01 / 产品信息
产品概述
NCE Power（新洁能） NCEP1520K（MOSFET-SGT(屏蔽栅沟槽型/SGT-I)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- NCE
- 型号
- NCEP1520K
- 品类
- MOSFET-SGT(屏蔽栅沟槽型/SGT-I)
- 封装
- TO-252
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
30 项结构与连接
- Maximum Power Dissipation
- 68 W
- Derating factor
- 0.45 W/℃
- EAS
- 65 mJ
- Thermal Résistance, Junction-to-Case(Note 2) RθJC
- 2.2 ℃/W
- Forward Transconductance gFS VDS=5V,ID=10A
- 15 S
- Input Capacitance Clss
- 600 pF
- Output Capacitance Coss
- 74.7 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 10.8 pF
- Turn-on Delay Time td(on)
- 9.5 nS
- Turn-on Rise Time tr VDD=75V, RL=7.5
- 5.5 nS
- Turn-Off Delay Time td(off) VGS=10V,RG=3Ω
- 12.5 nS
- Turn-Off Fall Time tf
- 3 nS
- Total Gate Charge Qg
- 12 nC
- Gate-Source Charge Qgs
- 5.7 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 2.7 nC
- IS
- 20 A
- Reverse Recovery Time trr TJ = 25°C, IF =
- 29 nS
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 150 V
- Gate-Source Voltage
- ±20 V
- Drain Current-Continuous
- 20 A
- Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃)
- 14 A
- Drain Source voltage slope, VDS ≤120 V, dv/dt
- 50 V/ns
- Drain Source voltage slope, VDS ≤120 V, ISD<ID dv/dt
- 50 V/ns
- Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA
- 150 V
- Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=150V,VGS=0V
- 1 μA
- Gate-Body Leakage Current IGSS VGS=±20V,VDS=0V
- ±100 nA
- Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250μA
- 3.3 V
- Drain-Source On-State Resistance RDS(ON) VGS=10V, ID=10A
- 59 mΩ
- Gate resistance
- 4.5 Ω
- Diode Forward Voltage (Note 3) VSD VGS=0V,IS=10A
- 1.2 V
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。