01 / 产品信息
产品概述
N沟道超级沟槽 II MOSFET 120V 90A
- 厂商
- 无锡新洁能
- 型号
- NCEP065N12AGU
- 品类
- MOSFET-沟槽型(Trench)
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
12 项结构与连接
- RDS(on)
- 7.8mΩ@4.5V (typ 6.9mΩ@4.5V, 5.6mΩ@10V)
- Power Dissipation(Pd)
- 130W
- Gate Charge(Qg)
- 90nC
- Input Capacitance(Ciss)
- 4.9nF
- Reverse Transfer Capacitance(Crss)
- 34pF
- Output Capacitance(Coss)
- 300pF
- Configuration
- 1 N-channel
性能与环境
- Drain-Source Voltage(Vdss)
- 120V
- Continuous Drain Current(Id)
- 90A
- Gate Threshold Voltage(Vgs(th))
- 2.5V
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃
- Gate Voltage(Vgs)
- ±20V
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。