01 / 产品信息
产品概述
N沟道超级沟槽 II MOSFET 100V 160A
- 厂商
- 无锡新洁能
- 型号
- NCEP033N10
- 品类
- MOSFET-沟槽型(Trench)
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
15 项结构与连接
- Category
- Single FETs, MOSFETs
- Manufacturer
- NCE
- Packaging
- TO-220
- RDS(on)
- 3.3mΩ@10V
- Pd - Power Dissipation
- 245W
- Vgs
- ±20V
- Gate Charge(Qg)
- 127.7nC@10V
- Input Capacitance(Ciss)
- 7.8105nF
- Output Capacitance(Coss)
- 887.3pF
- Reverse Transfer Capacitance(Crss)
- 30pF
- Type
- N-Channel
性能与环境
- Drain to Source Voltage
- 100V
- Current - Continuous Drain(Id)
- 160A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
- 4V
- Operating Temperature
- -55℃~+175℃
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。