01 / 产品信息
产品概述
NCE Power（新洁能） NCEP026N10T（MOSFET-SGT-II(屏蔽栅沟槽型II)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- NCE
- 型号
- NCEP026N10T
- 品类
- MOSFET-SGT-II(屏蔽栅沟槽型II)
- 封装
- TO-220
- 包装
- 管装
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
28 项结构与连接
- Maximum Power Dissipation
- 300 W
- Derating factor
- 2 W/℃
- EAS
- 2300 mJ
- Forward Transconductance gFS VDS=5V,ID=115A
- 90 S
- Input Capacitance Clss
- 7500 PF
- Output Capacitance Coss
- 100 PF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 50 PF
- Turn-on Delay Time td(on)
- 34 nS
- Turn-on Rise Time tr VDD=50V,ID=115A
- 27 nS
- Turn-Off Delay Time td(off) VGS=10V,RG=1.6Ω
- 78 nS
- Turn-Off Fall Time tf
- 30 nS
- Total Gate Charge Qg
- 240 nC
- Gate-Source Charge Qgs
- 75 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 60 nC
- Reverse Recovery Time trr TJ = 25°C, IF = 115A
- 101 nS
- Reverse Recovery Charge Qrr di/dt = 100A/μs
- 280 nC
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 100 V
- Gate-Source Voltage
- ±20 V
- Drain Current-Continuous
- 230 A
- Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃)
- 165 A
- Thermal Resistance,Junction-to-Case RθJC
- 0.5 ℃/W
- Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA
- 100 V
- Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=100V,VGS=0V
- 1 μA
- Gate-Body Leakage Current IGSS VGS=±20V,VDS=0V
- ±100 nA
- Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250μA
- 3.0 V
- Drain-Source On-State Resistance RDS(ON) VGS=10V, ID=115A
- 2.15 mΩ
- Diode Forward Voltage VSD VGS=0V,IS=115A
- 1.2 V
- Diode Forward Current
- 230 A
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。