01 / 产品信息
产品概述
NCE Power（新洁能） NCE80TD65BT（IGBT）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- NCE
- 型号
- NCE80TD65BT
- 品类
- IGBT
- 封装
- TO-247
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
17 项结构与连接
- Power Dissipation @ TC = 25°C
- 416 W
- Power Dissipation @TC = 100 °C
- 208 W
- tsc Allowed number of short circuits<1000Time between
- 5 us
性能与环境
- VCES Collector-Emitter Voltage
- 650 V
- Gate- Emitter Voltage
- ±30 V
- Gate- Emitter Voltage (AC)
- ±40 V
- Collector Current
- 160 A
- Collector Current @TC = 100 °C
- 80 A
- ICpuls Pulsed Collector Current，tp limited by Tjmax
- 320 A
- Turn off safe operating area，VCE=650V，Tj=175°C
- 320 A
- IF Diode Continuous Forward Current @TC = 100 °C
- 80 A
- IFM Diode Maximum Forward Current
- 320 A
- TJ,Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range -5
- 5 to +175 °C
- TL Maximum Temperature for Soldering
- 260 °C
- RθJC Thermal Resistance, Junction to case for
- 0.36 °C/W
- RθJC Thermal Resistance, Junction to case for Diode
- 0.44 °C/W
- RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient
- 40 °C/W
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。