01 / 产品信息
产品概述
N沟道超级结 MOSFET 650V 21A
- 厂商
- 无锡新洁能
- 型号
- NCE65TF180F
- 品类
- SJ MOSFET(超级结)
- 成色
- 全新原装
- 合规
- RoHS compliant
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
15 项结构与连接
- Packaging
- TO-220F
- Coss
- 83pF
- Ciss-Input Capacitance
- 2.25nF
- Pd - Power Dissipation
- 33.8W
- Crss
- 1.6pF
- RDS(on)
- 180mΩ@10V
- Number
- 1
- N-channel
- N-channel
- Gate Charge(Qg)
- 36nC@10V
- Vgs
- ±30V
- Type
- N-Channel
性能与环境
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃
- Drain to Source Voltage
- 650V
- Current - Continuous Drain(Id)
- 21A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
- 4V
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。