01 / 产品信息
产品概述
NCE Power（新洁能） NCE65TF099（MOSFET-超结(Super-Junction)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- NCE
- 型号
- NCE65TF099
- 品类
- SJ MOSFET(超级结)
- 封装
- SMA
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
21 项结构与连接
- Input Capacitance Clss
- 2800 pF
- Output Capacitance Coss
- 150 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 1.5 pF
- Total Gate Charge Qg
- 45 nC
- Gate-Source Charge Qgs
- 15 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 11.5 nC
- Turn-on Delay Time td(on)
- 16 nS
- Turn-on Rise Time tr VDD=380V,ID=19A
- 13 nS
- Turn-Off Delay Time td(off) RG=1.7Ω,VGS=10V
- 71 nS
- Turn-Off Fall Time tf
- 13 nS
- Reverse Recovery Time trr
- 180 nS
- Reverse Recovery Charge Qrr Tj=25°C,IF=19A,di/dt=100A/μs
- 1.6 uC
性能与环境
- Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=500μA
- 650 V
- Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=25℃) IDSS VDS=650V,VGS=0V
- 3 μA
- Gate-Body Leakage Current IGSS VGS=±20V,VDS=0V
- ±100 nA
- Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250μA
- 3.5 V
- Drain-Source On-State Resistance RDS(ON) VGS=10V, ID=19A
- 89 mΩ
- Intrinsic gate resistance RG f = 1 MHz,open drain
- 2.5 Ω
- Source-drain current(Body Diode)
- 38 A
- Forward On Voltage VSD Tj=25°C,ISD=28A,VGS=0V
- 0.9 V
- Peak Reverse Recovery Current Irrm
- 18 A
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。