01 / 产品信息
产品概述
NCE Power（新洁能） NCE65T360K（MOSFET-超结(Super-Junction)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- NCE
- 型号
- NCE65T360K
- 品类
- SJ MOSFET(超级结)
- 封装
- TO-247
- 包装
- 管装
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
32 项结构与连接
- Maximum Power Dissipation(TC =25℃)
- 101 W
- Single pulse avalanche energy (Note2)
- 144 mJ
- EAR
- 0.5 mJ
- Reverse diode dv/dt，VDS ≤480 V,ISD<ID dv/dt
- 15 V/ns
- Input Capacitance Clss
- 870 pF
- Output Capacitance Coss
- 54 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 1.8 pF
- Total Gate Charge Qg
- 19 nC
- Gate-Source Charge Qgs
- 6 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 6.5 nC
- Turn-on Delay Time td(on)
- 11 nS
- Turn-on Rise Time tr VDD=380V,ID=5.8A
- 8 nS
- Turn-Off Delay Time td(off) RG=3Ω,VGS=10V
- 58 nS
- Turn-Off Fall Time tf
- 9 nS
- Reverse Recovery Time trr
- 220 nS
- Reverse Recovery Charge Qrr
- 2.2 uC
性能与环境
- Drain-Source Voltage (VGS=0V）
- 650 V
- Gate-Source Voltage (VDS=0V) AC (f>1 Hz)
- ±30 V
- Continuous Drain Current at TC =25°C ID (DC)
- 11.5 A
- Continuous Drain Current at TC=100°C ID (DC)
- 7 A
- Drain Source voltage slope, VDS ≤480 V, dv/dt
- 50 V/ns
- Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -5
- 5...+150 °C
- Thermal Resistance，Junction-to-Case（Maximum） RthJC
- 1.24 °C/W
- Thermal Resistance，Junction-to-Ambient （Maximum） RthJA
- 62 °C/W
- Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA
- 650 V
- Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=25℃) IDSS VDS=650V,VGS=0V
- 1 μA
- Gate-Body Leakage Current IGSS VGS=±20V,VDS=0V
- ±100 nA
- Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250μA
- 3 V
- Drain-Source On-State Resistance RDS(ON) VGS=10V, ID=7A
- 290 mΩ
- Source-drain current(Body Diode)
- 11.5 A
- Forward on voltage VSD Tj=25°C,ISD=11.5A,VGS=0V
- 0.9 V
- Peak Reverse Recovery Current Irrm
- 19 A
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。