01 / 产品信息
产品概述
NCE Power（新洁能） NCE603S（MOSFET-沟槽型(Trench)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- NCE
- 型号
- NCE603S
- 品类
- MOSFET-沟槽型(Trench)
- 封装
- SOP-8
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
30 项结构与连接
- RDS(ON) VGS=10V, ID=5A
- 24 mΩ
- RDS(ON) VGS=4.5V, ID=5A
- 32 mΩ
- Forward Transconductance gFS VDS=5V,ID=5A
- 11 S
- Input Capacitance Clss
- 979 PF
- Output Capacitance Coss
- 120 PF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 100 PF
- Turn-on Delay Time td(on)
- 4.2 nS
- Turn-on Rise Time tr VDD=30V ,RL=2.5Ω
- 3.4 nS
- Turn-Off Delay Time td(off) VGS=10V,RG=3Ω
- 16 nS
- Turn-Off Fall Time tf
- 2 nS
- Total Gate Charge Qg
- 22 nC
- Gate-Source Charge Qgs
- 3.3 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 5.2 nC
- Reverse Recovery Time trr TJ = 25°C, IF =5A
- 27 nS
- Reverse Recovery Charge Qrr di/dt = 100A/μs
- 30 nC
- Forward Transconductance gFS VDS=-5V,ID=-4A
- 11 S
- Turn-on Rise Time tr VDD=-30V ,RL=2.5Ω
- 10 nS
- Turn-Off Delay Time td(off) VGS=-10V,RG=3Ω
- 25 nS
- Reverse Recovery Time trr TJ = 25°C, IF =-4A
- 27.5 nS
性能与环境
- Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA
- 60 V
- Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=60V,VGS=0V
- 1 μA
- Gate-Body Leakage Current IGSS VGS=±20V,VDS=0V
- ±100 nA
- Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250μA
- 1.6 V
- Diode Forward Voltage (Note 3) VSD VGS=0V,IS=5A
- 1.2 V
- Diode Forward Current
- 5 A
- Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=-250μA
- 60 V
- Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=-60V,VGS=0V
- 1 μA
- Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=-250μA
- 2.6 V
- Drain-Source On-State Resistance RDS(ON) VGS=-10V, ID=-4A
- 64 mΩ
- Diode Forward Voltage (Note 3) VSD VGS=0V,IS=-4A
- 1.2 V
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。