01 / 产品信息
产品概述
NCE Power（新洁能） NCE30P25S（MOSFET-沟槽型(Trench)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- NCE
- 型号
- NCE30P25S
- 品类
- MOSFET-沟槽型(Trench)
- 封装
- SOP-8
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
24 项结构与连接
- IDM
- 100 A
- Maximum Power Dissipation
- 3.5 W
- RDS(ON) VGS=-10V, ID=-15A
- 6.4
- RDS(ON) VGS=-4.5V, ID=-15A
- 8.3
- Forward Transconductance gFS VDS=-10V,ID=-15A
- 30
- Input Capacitance Clss
- 7506
- Output Capacitance Coss
- 901
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 742
- Turn-on Delay Time td(on)
- 50
- Turn-on Rise Time tr VDD=-15V, ID=-15A
- 60
- Turn-Off Delay Time td(off) VGS=-10V,RGEN=3Ω
- 60
- Turn-Off Fall Time tf
- 21
- Total Gate Charge Qg
- 98.9
- Gate-Source Charge Qgs VDS=-15V,ID=-15A,VGS=
- 11.4
- Gate-Drain Charge Qgd
- 20.3
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 30 V
- Gate-Source Voltage
- ±20 V
- Drain Current-Continuous
- 25 A
- Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) RθJA
- 36 ℃/W
- Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=-250μA
- 30 V
- Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=-30V,VGS=0V
- 1
- Gate-Body Leakage Current IGSS VGS=±20V,VDS=0V
- ±100
- Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=-250μA
- 1.5
- Diode Forward Voltage (Note 3) VSD VGS=0V,IS=-25A
- 1.2
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。