01 / 产品信息
产品概述
NCE Power（新洁能） NCE2301（MOSFET-沟槽型(Trench)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- NCE
- 型号
- NCE2301
- 品类
- MOSFET-沟槽型(Trench)
- 封装
- SOT-23
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
26 项结构与连接
- IDM
- 12 A
- Maximum Power Dissipation
- 1 W
- VGS=-4.5V, ID=-3A
- 64 mΩ
- VGS=-2.5V, ID=-2A
- 89 mΩ
- Forward Transconductance gFS VDS=-5V,ID=-2A
- 5 S
- Input Capacitance Clss
- 841 PF
- Output Capacitance Coss
- 75 PF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 47 PF
- Turn-on Delay Time td(on)
- 11 nS
- Turn-on Rise Time tr VDD=-10V,ID=-1A
- 35 nS
- Turn-Off Delay Time td(off) VGS=-4.5V,RGEN=10Ω
- 30 nS
- Turn-Off Fall Time tf
- 10 nS
- Total Gate Charge Qg
- 7.4 nC
- Gate-Source Charge Qgs
- 1 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 1.9 nC
- IS
- 3 A
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 20 V
- Gate-Source Voltage
- ±12 V
- Drain Current-Continuous
- 3 A
- Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) RθJA
- 125 ℃/W
- Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=-250μA
- 20 V
- Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=-20V,VGS=0V
- 1 μA
- Gate-Body Leakage Current IGSS VGS=±12V,VDS=0V
- ±100 nA
- Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=-250μA
- 0.7 V
- Gate resistance RG F=1.0MHz
- 6.6 Ω
- Diode Forward Voltage (Note 3) VSD VGS=0V,IS=-3A
- 1.2 V
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。