01 / 产品信息
产品概述
NCE Power（新洁能） NCE0125AK（MOSFET-沟槽型(Trench)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- NCE
- 型号
- NCE0125AK
- 品类
- MOSFET-沟槽型(Trench)
- 封装
- TO-252-2L
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
27 项结构与连接
- PD Maximum Power Dissipation
- 70 W
- Derating factor
- 0.5 W/℃
- VGS=10V, ID=15A
- 28
- VGS=3V, ID=15A
- 30
- gFS Forward Transconductance VDS=5V,ID=15A
- 12 S
- Clss Input Capacitance
- 3000 PF
- Coss Output Capacitance
- 92 PF
- Crss Reverse Transfer Capacitance
- 18.3 PF
- td(on) Turn-on Delay Time
- 9 nS
- tr Turn-on Rise Time VDD=50V,RL=5Ω
- 9 nS
- td(off) Turn-Off Delay Time VGS=10V,RGEN=3Ω
- 31 nS
- tf Turn-Off Fall Time
- 9 nS
- Qg Total Gate Charge
- 70.4 nC
- Qgs Gate-Source Charge
- 9.0 nC
- Qgd Gate-Drain Charge
- 15.3 nC
- trr Reverse Recovery Time TJ = 25°C, IF = 25A
- 34 nS
性能与环境
- VDS Drain-Source Voltage
- 100 V
- VGS Gate-Source Voltage
- ±20 V
- ID Drain Current-Continuous
- 25 A
- ID (100℃) Drain Current-Continuous(TC=100℃)
- 17.6 A
- IDM Pulsed Drain Current
- 70 A
- RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 2)
- 2 ℃/W
- BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V ID=250μA
- 110 V
- IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=100V,VGS=0V
- 1 μA
- IGSS Gate-Body Leakage Current VGS=±20V,VDS=0V
- ±100 nA
- VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS,ID=250μA
- 1.2 V
- VSD Diode Forward Voltage (Note 3) VGS=0V,IS=25A
- 1.2 V
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。