01 / 产品信息
产品概述
onsemi MMBT4403LT1G（双极型晶体管(BJT)-通用(PNP)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 安森美
- 型号
- MMBT4403LT1G
- 品类
- 双极型晶体管(BJT)-通用(PNP)
- 封装
- SOT-23
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
20 项结构与连接
- Substrate, (Note 2) @TA = 25°C
- 300 mW
- (IC = −0.1 mAdc, VCE = −1.0 Vdc)
- 30 −
- (IC = −1.0 mAdc, VCE = −1.0 Vdc)
- 60
- (IC = −10 mAdc, VCE = −1.0 Vdc)
- 100
- (IC = −150 mAdc, IB = −15 mAdc)
- 0.4
- (IC = −500 mAdc, IB = −50 mAdc)
- 0.75
- (IC = −150 mAdc, IB = −15 mAdc) −0.7
- 0.95
- (IC = −500 mAdc, IB = −50 mAdc) −
- 1.3
- Delay Time (VCC = −30 Vdc, VEB = −2.0 Vdc, td
- 15
- Rise Time IC = −150 mAdc, IB1 = −15 mAdc) tr
- 20
- Storage Time (VCC = −30 Vdc, IC = −150 mAdc, ts
- 225
- Fall Time IB1 = IB2 = −15 mAdc) tf
- 30
性能与环境
- Collector −Emitter Voltage
- −40 Vdc
- Collector −Base Voltage
- −40 Vdc2TMG
- Emitter −Base Voltage
- −5.0 Vdc
- Collector Current − Continuous
- −600 mAdc
- Collector Current − Peak
- −900
- Thermal Resistance, Junction−to−Ambient RqJA
- 556 °C/W
- Base Cutoff Current (VCE = −35 Vdc, VEB = −0.4 Vdc)
- −0.1 mAdc
- Collector Cutoff Current (VCE = −35 Vdc, VEB = −0.4 Vdc)
- −0.1 mAdc
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。