01 / 产品信息
产品概述
Micro Commercial Components (MCC) MCACD55N04YHE3-TP（功率MOSFET）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- MCC
- 型号
- MCACD55N04YHE3-TP
- 品类
- 功率MOSFET
- 封装
- PDFN5060-8D
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
20 项结构与连接
- Part Number
- MCACD55N04YHE3
- Number of Functions
- Dual
- Channel
- N+N
- ESD Diodes
- No
- Single Pulsed Avalanche Energy E AS (mJ)
- 72
- Input Capacitance Ciss(pF)
- 935
- Output Capacitance Coss(pF)
- 283
- Power Rating P D (W)
- 60
- Total Gate Charge Qg(nC)
- 13
- Gate-Drain Charge Qgd(nC)
- 2.9
性能与环境
- Drain-Source Voltage V DS (V)
- 40
- Gate-Source Voltage V GS (V)
- ±20
- Drain Current I D (A)
- 55
- Drain-Source On-Resistance RDS(ON) Max @VGS=10V (Ω)
- 0.0085
- Drain-Source On-Resistance RDS(ON) Max @VGS=4.5V (Ω)
- Drain-Source On-Resistance RDS(ON) Max @VGS=2.5V (Ω)
- Gate Threshold Voltage VGS(th) Min (V)
- 2
- Gate Threshold Voltage VGS(th) Max (V)
- 4
- Junction Temperature Tj [max] (°C)
- 175
- Pulsed Drain Current I DM (A)
- 220
湿敏等级 (MSL): 1
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。