01 / 产品信息
产品概述
Longteng (龙腾半导体) LSGC15R070WE（SJ MOSFET(超级结)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 龙腾
- 型号
- LSGC15R070WE
- 品类
- SJ MOSFET(超级结)
- 封装
- TO-220
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
36 项结构与连接
- ( TC = 100°C )
- 71 A
- IDM
- 448 A
- EAS
- 625 mJ
- Power Dissipation
- 192 W
- RθJA
- 62 °C/W
- LSGC15R070WE TO-220 LSGC15R070WE
- 50
- VDS=150 V, VGS=0 V, TJ = 25°C
- 1 μA
- VDS=150V, VGS=0 V, TJ = 150°C
- 10 mA
- Forward transconductance gfs VDS =5V , ID=40A
- 102 S
- Input capacitance Ciss
- 6181
- Output capacitance Coss
- 521 pF
- Reverse transfer capacitance Crss
- 6.79
- Turn-on delay time td(on)
- 63.5
- Rise time tr
- 22.6
- Turn-off delay time td(off)
- 82.3
- Fall time tf
- 31.2
- Gate to source charge Qgs
- 30
- Gate to drain charge Qgd
- 17.6 nC
- Gate charge total Qg
- 85.5
- Output Charge Qoss VDS=50V, VGS= 0V
- 133 nC
- Reverse Recovery Time trr
- 81.3 ns
- Reverse Recovery Charge Qrr IS=50A, di/dt=200A/us, TJ=25℃
- 431 nC
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 150 V
- Continuous drain current ( TC = 25°C )
- 112 A
- Gate-Source voltage
- ±20 V
- Thermal Resistance, Junction-to-Case RθJC
- 0.65 °C/W
- Drain-source breakdown voltage BVDSS VGS=0 V, ID=250uA
- 150 V
- Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS, ID=250uA
- 3.0 V
- Gate leakage current, Forward IGSSF VGS=20 V, VDS=0
- 100 nA
- Gate leakage current, Reverse IGSSR VGS=-20V, VDS=0
- 100 nA
- Drain-source on-state resistance RDS(on) TJ = 25°C
- 5.8 mΩ
- Gate resistance Rg VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz
- 1.37 Ω
- Gate plateau voltage Vplateau
- 5 V
- Continuous Source Current
- 112 A
- Diode Forward Voltage VSD VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃
- 0.6 V
- Peak reverse recovery current Irrm
- 7.87 A
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。