01 / 产品信息
产品概述
N 沟道 650V 4A 超结功率 MOSFET
- 厂商
- 龙腾半导体
- 型号
- LSG65R950HT
- 品类
- SJ MOSFET(超级结)
- 成色
- 全新原装
- 合规
- RoHS compliant
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
17 项结构与连接
- VDS @ Tj,max
- 700V
- RDS(on),max
- 950mΩ
- IDM
- 12A
- Qg,typ
- 7.6nC
- VDSS
- 650 V
- ID (Tc=25°C)
- 4 A
- ID (Tc=100°C)
- 2.5 A
- VGSS
- ±30 V
- PD (TO-252)
- 40 W
- TJ,TSTG
- -55 to +150 °C
- VGS(th)
- 2.5-4.5 V
- RDS(on) max
- 0.95 Ω
- Ciss
- 305 pF
- Coss
- 89 pF
- Crss
- 0.5 pF
- Qg
- 7.6 nC
- trr
- 153 ns
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。