01 / 产品信息
产品概述
Leshan Radio (乐山无线电) LN2306LT1G（MOSFET）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- LRC
- 型号
- LN2306LT1G
- 品类
- MOSFET
- 封装
- SOT-23
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
22 项结构与连接
- Continuous TA = 25°C
- 5.8
- Maximum Power Dissipation
- 1.4 W
- Leshan Radio Company, LTD. Rev.C Mar
- 2016 1/5
- (VGS = 0, ID = 250μAdc)
- 30
- (VDS=9.6V, VGS=0V)
- 1
- (VDS = 0 V, VGS = 8 V)
- 100
- (VDS = 0 V, VGS = -8 V)
- 100
- (VDS = 5.0 V, ID = 5 A)
- 15
- (VDS = VGS, ID = 250μAdc)
- 1.4
- (VGS = 10 V, ID =5.8 A)
- 31
- (VGS = 4.5 V, ID =5 A)
- 34
- (VGS = 2.5 V, ID = 4 A)
- 45
- (VGS = 0 V, f = 1.0MHz,VDS= 15 V)
- 13.51
- Turn-On Delay Time td(on)
- 7 ns
- Rise Time tr
- 15
- Turn-Off Delay Time = 3Ω ) td(off)
- 38
- Fall Time tf
- 3
- (VGS = 0 Vdc, ISD = 1 Adc)
- 1.2
性能与环境
- Drain–Source Voltage
- 30 V
- Gate–to–Source Voltage – Continuous
- ±12 V
- Thermal Resistance, RΘJA
- 140 ºC/W
- Junction and Storage temperature TJ,Tstg −5
- 5∼+150 ºC
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。