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TI / 电源管理芯片

LM5101ASD-1/NOPB

3 A、100 V 高边/低边半桥栅极驱动器，带 8 V UVLO 与 TTL 输入，封装 8 引脚 WSON。

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产品标识

TI LM5101ASD-1/NOPB

图片仅供参考

封装: WSON-8

01 / 产品信息

产品概述

LM5101A 是一款 3 A 高压半桥栅极驱动器，用于 MOSFET 与 IGBT，偏置 9 V 至 14 V，自举耐压 100 V。它提供 TTL 兼容输入、8 V UVLO、10 ns 上升/下降时间，以及 25 ns 传输延迟。用于半桥、全桥与同步降压转换器。

厂商: TI
型号: LM5101ASD-1/NOPB
品类: 电源管理芯片
封装: WSON-8
包装: 卷带
成色: 全新原装
合规: RoHS & REACH Compliant
生命周期: 与原厂确认
交期 / 最小起订量: 以报价为准

02 / 技术资料

技术参数

15 项

结构与连接

LI = HI = 0V (LM5101): 0.4
VDDH VDD Threshold Hysteresis: 0.5 V
VHBR HB Rising Threshold: 6.6 V
VHBH HB Threshold Hysteresis: 0.4 V
tRC, tFC Either Output Rise/Fall Time CL = 1000 pF: 15 ns

性能与环境

IDD VDD Quiescent Current LI = HI = 0V (LM5100): 0.1
IDDO VDD Operating Current f = 500 kHz: 1.5 mA
IHB Total HB Quiescent Current LI = HI = 0V: 0.2 mA
IHBO Total HB Operating Current f = 500 kHz: 1.3 mA
IHBS HB to VSS Current, Quiescent VHS = VHB = 100V: 10 µA
IHBSO HB to VSS Current, Operating f = 500 kHz: 0 mA
VDL Low-Current Forward Voltage IVDD-HB = 100 µA: 0.6 V
VDH High-Current Forward Voltage IVDD-HB = 100 mA: 0.85 V
RD Dynamic Resistance IVDD-HB = 100 mA: 0.8 Ω
VOLL Low-Level Output Voltage ILO = 100 mA: 0.23 V

03 / 原厂资料

规格与文档

请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

官方产品页查看原厂产品信息 官方数据手册技术规格与产品参考资料

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。