01 / 产品信息
产品概述
Leshan Radio (乐山无线电) L2N7002KLT1G（MOSFET）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- LRC
- 型号
- L2N7002KLT1G
- 品类
- MOSFET
- 封装
- SOT-23
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
25 项结构与连接
- Junction−to−Ambient − Steady
- 417
- Junction−to−Ambient − t ≤5 s
- 300
- V(BR)DSS VGS = 0 V, ID = 250 µA
- 60 V
- Drain−to−Source Breakdown V(BR)DSS/TJ
- 71
- VGS = 0 V, TJ = 25C
- 1
- VDS = 60 V TJ = 125C
- 500
- VGS(TH)/TJ
- 4
- VGS = 10 V, ID = 500 mA
- 2.3
- VGS = 5.0 V, ID = 50 mA
- 2.7
- Forward Transconductance Gfs VDS = 5 V, ID = 200 mA
- 80 mS
- Input Capacitance
- 34
- Output Capacitance
- 3 pF
- Reverse Transfer Capacitance
- 2.2
- Total Gate Charge QG(TOT)
- 0.71
- Threshold Gate Charge QG(TH) VGS = 4.5 V, VDS = 10 V;
- 0.1
- Gate−to−Source Charge QGS ID = 500 mA
- 0.32
- Gate−to−Drain Charge
- 0.16
- Turn−On Delay Time td(ON)
- 3.8
- Rise Time tr VDS = 10 V, VGEN = 10 V
- 3.4
- Turn−Off Delay Time td(OFF) ID = 500 mA
- 19
- Fall Time tf
- 12
- IS = 115 TJ = 85C
- 0.7
性能与环境
- Drain−to−Source Voltage
- 60
- Gate−to−Source Voltage
- ±20 Vdc
- Gate Threshold Voltage VGS(TH) VGS = VDS, ID = 250 µA
- 2.5 V
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。