01 / 产品信息
产品概述
InventChip (瞻芯电子) IV2Q171R0T3（SiC MOSFET）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- IVCT
- 型号
- IV2Q171R0T3
- 品类
- SiC MOSFET
- 封装
- TO247-3
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
4 项性能与环境
- VDS Drain-Source voltage
- 1700
- Maximum spike voltage
- 10 to 23 V
- VGSon Recommended turn-on voltage
- 15 to 18 V
- Rθ(J-C) Thermal Resistance from Junction to Case
- 1.73
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。