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IVCT / SiC MOSFET

IV2Q17080T4Z

InventChip (瞻芯电子) IV2Q17080T4Z(SiC MOSFET)为原装正品功率分立器件,耐压、电流与热阻参数以官方 Datasheet 为准,欢迎询价索样。

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
TO-220 通用封装等距示意,非该型号实物图

等距示意图,可切顶视或旋转 3D。

TO-220 · 通用封装示意

按目录封装字段展示,尚未逐料号核对。尺寸、极性和引脚定义请查原厂资料。查看型号资料 ↓
封装结构参考 · 非工程尺寸图
封装
TO247-4

产品概述

InventChip (瞻芯电子) IV2Q17080T4Z(SiC MOSFET)面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源,Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。

厂商
IVCT
型号
IV2Q17080T4Z
品类
SiC MOSFET
封装
TO247-4
成色
全新原装
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

7 项

结构与连接

Vds
1700 V
Id
36.5 A
Rds(on)
80 mΩ
Vgs(th)
3.1 V
Qg
80 nC
Package
TO-247-4

性能与环境

OperatingTemperature
-55 to 175 °C

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。