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IVCT / SiC MOSFET

IV1Q12050D7Z

InventChip (瞻芯电子) IV1Q12050D7Z(SiC MOSFET)为原装正品功率分立器件,耐压、电流与热阻参数以官方 Datasheet 为准,欢迎询价索样。

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
IVCTSiC MOSFET
IV1Q12050D7Z
产品外观请参考原厂资料
封装
TO263-7

产品概述

InventChip (瞻芯电子) IV1Q12050D7Z(SiC MOSFET)面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源,Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。

厂商
IVCT
型号
IV1Q12050D7Z
品类
SiC MOSFET
封装
TO263-7
成色
全新原装
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

7 项

结构与连接

Vds
1200 V
Id
50 A
Rds(on)
50 mΩ
Vgs(th)
3.2 V
Qg
120 nC
Package
TO-263-7

性能与环境

OperatingTemperature
-55 to 175 °C

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。