01 / 产品信息
产品概述
InventChip (瞻芯电子) IV1D06006O2（SiC MOSFET）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- IVCT
- 型号
- IV1D06006O2
- 品类
- SiC MOSFET
- 封装
- TO-220-2
- 包装
- 管装
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
13 项结构与连接
- IFSM
- 42 A
- IFRM
- 30 A
- Total power dissipation @ Tc=25°C
- 75.0
- Total power dissipation @ Tc=150°C
- 12.5
- ∫i dt I t value @Tc=25°C tp=10ms
- 8.8 As
性能与环境
- VRRM Reverse voltage (repetitive peak)
- 650 V
- VDC DC blocking voltage
- 650 V
- Forward current (continuous) @Tc=25°C
- 17.4 A
- IF Forward current (continuous) @Tc=135°C
- 8.6 A
- Forward current (continuous) @Tc=152°C
- 6 A
- Tstg Storage temperature range -5
- 5 to 175 °C
- Tj Operating junction temperature range -5
- 5 to 175 °C
- Rth(j-c) Thermal Resistance from Junction to Case
- 2.0
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。