01 / 产品信息
产品概述
Infineon IRFZ34NPBF（MOSFET(HEXFET功率)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 英飞凌
- 型号
- IRFZ34NPBF
- 品类
- MOSFET(HEXFET功率)
- 封装
- TO-220
- 包装
- 管装
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
30 项结构与连接
- PD @TC = 25°C Power Dissipation
- 68 W
- EAS Single Pulse Avalanche Energy
- 65 mJ
- EAR Repetitive Avalanche Energy
- 6.8 mJ
- dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt
- 5.0 V/ns
- RθJC Junction-to-Case
- 2.2
- RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
- 0.50 °C/W
- RθJA Junction-to-Ambient
- 62
- gfs Forward Transconductance
- 6.5
- Gate-to-Source Forward Leakage
- 0 VGS=20V
- Gate-to-Source Reverse Leakage
- 00 VGS=-20V
- Qgs Gate-to-Source Charge
- 8
- tr Rise Time
- 9 ––– ID=16A
- td(off) Turn-Off Delay Time
- 1 ––– RG=18Ω
- tf Fall Time
- 0
- LD Internal Drain Inductance
- 4.5
- LS Internal Source Inductance
- 7.5
- Ciss Input Capacitance
- 700 ––VGS=0V
- Coss Output Capacitance
- 240
- Crss Reverse Transfer Capacitance
- 100
- trr Reverse Recovery Time
- 7
- Qrr Reverse Recovery Charge
- 30 20
性能与环境
- ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V
- 29
- ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V
- 20 A
- IDM Pulsed Drain Current 1
- 00
- VGS Gate-to-Source Voltage ±
- 20 V
- IAR Avalanche Current
- 16 A
- V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage
- 55
- RDS(ON) Static Drain-to-Source On-Resistance
- 040
- VGS(th) Gate Threshold Voltage
- 0
- VSD Diode Forward Voltage
- 6
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。