01 / 产品信息
产品概述
Diodes 双极型晶体管(BJT) FMMT591ATA 为原装正品元器件，适用于相关电路设计与批量采购。我们提供完整规格资料、规格书与灵活报价，支持小批量试样与长期稳定供货。
- 厂商
- Diodes
- 型号
- FMMT591ATA
- 品类
- 双极型晶体管(BJT)
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
29 项结构与连接
- Power Dissipation (Note 5)
- 500 mW
- Electrostatic Discharge - Human Body Model ESD
- 4,000 V3A
- Electrostatic Discharge - Machine Model ESD
- 400 VC
- Transition Frequency ft
- 150 MHz
- Output Capacitance Cobo
- 10
- Delay Time td
- 4.9
- Rise Time tr
- 9.2
- Storage Time ts
- 49
- Fall Time tf
- 62
性能与环境
- Collector-Base Voltage
- 40 V
- Collector-Emitter Voltage
- 40 V
- Emitter-Base Voltage
- 7 V
- Continuous Collector Current
- 1 A
- Peak Pulse Current
- 2 A
- Base Current
- 200 mA
- Peak Base Current
- 1 A
- Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 5) RθJA
- 250 C/W
- Thermal Resistance, Junction to Case (Note 5) RθJC
- 66 C/W
- Thermal Resistance, Junction to Lead (Note 6) RθJL
- 197 C/W
- Collector-Base Breakdown Voltage
- 40
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 8)
- 40
- Emitter-Base Breakdown Voltage
- 7
- Collector Cutoff Current
- 100
- Collector-Emitter Cutoff Current
- 100
- Emitter Cutoff Current
- 100
- Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 8) VCE(sat)
- 350
- Base-Emitter Saturation Voltage (Note 8) VBE(sat)
- 1.1
- Base-Emitter Turn-On Voltage (Note 8) VBE(on)
- 1.0
- Static Forward Current Transfer Ratio (Note 8) hFE
- 250
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。