01 / 产品信息
产品概述
N 沟道 PowerTrench MOSFET, 80V, 229A, 2.4mΩ
- 厂商
- onsemi
- 型号
- FDB024N08BL7
- 品类
- 功率MOSFET
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
10 项结构与连接
- Channel
- N
- V_DSS (V)
- 80
- I_D (A)
- 229 (Tc=25, silicon) / 120 (pkg)
- R_DS(on) max@10V (mOhm)
- 2.4 (typ 1.7)
- V_GS (V)
- +/-20
- V_GS(th) max (V)
- 4.5
- Q_g (nC)@10V
- 137 typ / 178 max
- C_iss (pF)
- 10170 typ
- P_D (W)
- 246
- T_J (C)
- -55 to 175
湿敏等级 (MSL): 1
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。