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华润半导体 / 功率MOSFET(N沟道)

CS25N10A4

CR Micro (华润微电子) CS25N10A4(功率MOSFET(N沟道))为原装正品功率分立器件,耐压、电流与热阻参数以官方 Datasheet 为准,欢迎询价索样。

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
华润半导体功率MOSFET(N沟道)
CS25N10A4
产品外观请参考原厂资料
封装
SON

产品概述

CR Micro (华润微电子) CS25N10A4(功率MOSFET(N沟道))面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源,Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。

厂商
华润半导体
型号
CS25N10A4
品类
功率MOSFET(N沟道)
封装
SON
成色
全新原装
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

17 项

结构与连接

Type
N-channel Trench MOSFET
Vdss
100 V
Id
25 A @Tc=25 C (18.5 A @Tc=100 C)
Id_pulse
100 A
Vgs
+/-20 V
Vgs_th
1-2 V (typ 1.5 V)
Rds_on
29 mOhm typ (36 mOhm max) @Vgs=10V; 30.5 mOhm typ (39 mOhm max) @Vgs=4.5V
Qg
60 nC
Ciss
2359 pF
Coss
94 pF
Crss
76 pF
Vsd
1.2 V max
trr
40 ns
Eas
118 mJ
Pd
56.8 W
Package
TO-252

性能与环境

Operating_temp
-55 to +150 C

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。