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华润半导体 / 功率MOSFET(N沟道)

CRTD045N03L

CR Micro (华润微电子) CRTD045N03L(功率MOSFET(N沟道))为原装正品功率分立器件,耐压、电流与热阻参数以官方 Datasheet 为准,欢迎询价索样。

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
华润半导体功率MOSFET(N沟道)
CRTD045N03L
产品外观请参考原厂资料
封装
PDFN-8

产品概述

CR Micro (华润微电子) CRTD045N03L(功率MOSFET(N沟道))面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源,Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。

厂商
华润半导体
型号
CRTD045N03L
品类
功率MOSFET(N沟道)
封装
PDFN-8
成色
全新原装
合规
符合 RoHS
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

15 项

结构与连接

Type
N-channel Trench MOSFET
Vds
30 V
Id
80 A @Tc=25 C package limit (132 A silicon limit); 93 A @Tc=100 C
Id_pulse
320 A
Vgs
+/-20 V
Vgs_th
1.3-2.3 V (typ 1.8 V)
Rds_on
3.1 mOhm typ (4.5 mOhm max) @Vgs=10V; 4.7 mOhm typ @Vgs=4.5V
Qg
50 nC
Ciss
2343 pF
Coss
467 pF
Vsd
0.8 V typ
trr
18 ns
Pd
121 W
Package
TO-252

性能与环境

Operating_temp
-55 to +175 C

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。