01 / 产品信息
产品概述
CR Micro (华润微电子) CRJT190N65G2BF（功率MOSFET（N沟道·超结））面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 华润半导体
- 型号
- CRJT190N65G2BF
- 品类
- 功率MOSFET（N沟道·超结）
- 封装
- TO-220
- 包装
- 管装
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
15 项结构与连接
- Type
- N-channel Super-Junction MOSFET
- Vds
- 650 V
- Id
- 19 A @Tc=25 C (12 A @Tc=100 C)
- Id_pulse
- 57 A
- Vgs
- +/-30 V
- Vgs_th
- 3.2-4.6 V
- Rds_on
- 165 mOhm typ (190 mOhm max) @Vgs=10V
- Qg
- 36 nC
- Ciss
- 1100 pF
- Coss
- 65 pF
- Vsd
- 0.9 V typ
- trr
- 95 ns
- Pd
- 166 W
- Package
- TO-220
性能与环境
- Operating_temp
- -55 to +150 C
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。