01 / 产品信息
产品概述
onsemi BUT11A（双极型晶体管(BJT)-高压(NPN)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- FSC
- 型号
- BUT11A
- 品类
- 双极型晶体管(BJT)-高压(NPN)
- 封装
- TO-220
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
16 项结构与连接
- PC Collector Dissipation (TC=25°C)
- 100 W
- BUT11 IC = 100mA, IB = 0
- 400 V
- BUT11 VCE = 850V, VBE = 0
- 1 mA
- P R
- 1 mA
- BUT11 IC = 3A, IB = 0.6A
- 1.5 V
- BUT11A IC = 2.5A, IB = 0.5A
- 1.5 V
- tON Turn On Time VCC = 250V, IC = 2.5A
- 1 µs
- tSTG Storage Time IB1 = -IB2 = 0.5A
- 4 µs
- tF Fall Time
- 0.8 µs
性能与环境
- VEBO Emitter-Base Voltage
- 9 V
- ICP *Collector Current (Pulse)
- 10 A
- IB Base Current (DC)
- 2 A
- IBP *Base Current (Pulse)
- 4 A
- TJ Junction Temperature
- 150
- IEBO Emitter Cut-off Current VBE = 9V, IC = 0
- 10 mA
- RθjC Thermal Resistance, Junction to Case
- 1.25 °C/W
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。