01 / 产品信息
产品概述
Jingdao Micro (晶导微电子) BU3150F-A（双极型晶体管(BJT)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 晶导微
- 型号
- BU3150F-A
- 品类
- 双极型晶体管(BJT)
- 封装
- SOD-123FL
- 包装
- 管装
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
14 项结构与连接
- Transistor Type
- Si NPN Bipolar Junction Transistor
- Power Dissipation Ptot
- 20 W (Tc = 25 °C) / 1.25 W (Ta = 25 °C)
- Rising / Falling Time
- 3.0 µs / 3.0 µs
- Storage Time ts
- 1.5 - 3.5 µs
- Typical Frequency fT
- 5 MHz (VCE = 20 V, IC = 20 mA)
- Package
- TO-126F
性能与环境
- Collector-Base Voltage VCBO
- 1400 V
- Collector-Emitter Voltage VCEO
- 800 V
- Emitter-Base Voltage VEBO
- 9 V
- Collector Current IC
- 1.5 A
- DC Current Gain hFE
- 15 - 30 (VCE = 5 V, IC = 100 mA); 8 min (VCE = 5 V, IC = 1 mA)
- Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)
- 0.6 V (max) @ IC = 1 A, IB = 0.5 A
- Base-Emitter Saturation Voltage VBE(sat)
- 1.2 V (max) @ IC = 1 A, IB = 0.5 A
- Junction Temperature Tj
- 150 °C
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。