01 / 产品信息
产品概述
onsemi BC856BLT1G（双极型晶体管(BJT)-通用(PNP)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 安森美
- 型号
- BC856BLT1G
- 品类
- 双极型晶体管(BJT)-通用(PNP)
- 封装
- SOT-23
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
32 项结构与连接
- BC858, NSVBC858
- −30
- Substrate, (Note 2) TA = 25°C
- 300
- (IC = −10 mA) BC857, SBC857 Series
- −45
- BC858, NSBVC858 BC859 Series
- −30
- (IC = −10 mA, VEB = 0) BC857A, SBC857A, BC857B, SBC857B Only
- −50
- BC858, NSVB858, BC859 Series
- −30
- BC858, NSVBC858, BC859 Series
- −30
- (IE = −1.0 mA) BC857, SBC857 Series
- −5.0
- (IC = −10 mA, VCE = −5.0 V) BC856B, SBC856B, BC857B, SBC857B
- 150
- BC857C, SBC857C
- 270
- (IC = −2.0 mA, VCE = −5.0 V) BC856A, SBC856A, BC857A
- 180
- BC856B, SBC856B, BC857B, SBC857B, BC858B
- 290
- BC857C, SBC857C, BC858C
- 520
- (IC = −10 mA, IB = −0.5 mA)
- 0.3
- (IC = −100 mA, IB = −5.0 mA)
- 0.65
- (IC = −2.0 mA, VCE = −5.0 V)
- 0.75
- (IC = −10 mA, VCE = −5.0 V)
- 0.82
- Output Capacitance Cob
- 4.5 pF
- BC856, SBC856, BC857, SBC857, BC858, NSVBC858 Series
- 10
- BC859 Series
- 4.0
- Delay Time (VCC = −3.0 Vdc, IC = −10 mA, IE = −1 mA) td
- 35 ns
- Rise Time (VCC = −3.0 Vdc, IC = −10 mA, IE = −1 mA) tr
- 25 ns
- Storage Time (VCC = −3.0 Vdc, IC = −10 mA, IE = −1 mA) ts
- 310 ns
- Fall Time (VCC = −3.0 Vdc, IC = −10 mA, IE = −1 mA) tf
- 40 ns
性能与环境
- Emitter−Base Voltage
- −5.0
- Collector Current − Continuous
- −100
- Collector Current − Peak
- −200
- Thermal Resistance, RqJA
- 556 °C/W
- Collector Cutoff Current (VCB = −30 V)
- −15 nA
- Collector Cutoff Current (VCB = −30 V, TA = 150°C)
- −4.0 mA
- DC Current Gain BC856A, SBC856A, BC857A, SBC857A, BC858A hFE
- 90 −
- Current −Gain − Bandwidth Product fT
- 100 MHz
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。