产品概述
Wayon（维安） WM02DH50M3（MOSFET(小信号)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 维安
- 型号
- WM02DH50M3
- 品类
- 小信号MOSFET
- 封装
- SOT-23-6L
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
技术参数
36 项结构与连接
- Power Dissipation1 TA=25°C
- 1 W
- VGS = 4.5V, ID = 4.5A - 25
- 34
- VGS = 2.5V, ID = 3.5A - 35
- 50
- Rev.E,2023 Doc:W0803062
- 2/8
- VGS = 4.5V, ID = 4.5A
- 25
- VGS = 2.5V, ID = 3.5A
- 35
- Input Capacitance Ciss
- 300
- Output Capacitance Coss
- 55 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 48
- Total Gate Charge Qg
- 3.6
- Gate-Source Charge Qgs
- 0.6 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 0.7
- Turn-on Delay Time td(on)
- 3.1
- Rise Time tr
- 4.6
- Turn-off Delay Time td(off)
- 11.7
- Fall Time tf
- 3.5
- VGS = -4.5V, ID = -3A
- 45
- VGS = -2.5V, ID = -1.5A
- 58
- Turn-On Delay Time td(on)
- 11
- Turn-Off Delay Time td(off)
- 23
- Fall Time4 tf
- 10
性能与环境
- Drain-Source voltage VDS 20
- 20
- Gate-Source voltage VGS ±8
- ±8
- Continuous Drain Current TA=25°C ID 5
- 3 A
- Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG
- 55 to 150 °C
- Thermal Resistance from Junction to Ambient2 RθJA
- 125 °C/W
- Gate-body Leakage current lGSS VDS = 0V, VGS = ±8V
- ±100 nA
- Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS = 20V, VGS = 0V
- 1 μA
- Body Diode Voltage3 VSD IS= 1A, VGS = 0V
- 1.2 V
- Continuous Source Current IS
- 5
- Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 250µA
- 20 V
- Gate-Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS, ID = 250µA
- 0.65 V
- Continuous Source Current
- 5 A
- Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS = -20V, VGS = 0V
- 1 μA
- Gate-Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS, ID = -250µA
- 0.7 V
- Body Diode Voltage3 VSD IS= -3A, VGS = 0V
- 1.2 V
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
采购前常见问题
海外采购高频疑问与选型要点，帮助您在询价前快速核对关键参数与来源。
WM02DH50M3 有什么 Pin-to-Pin 直接替代型号？
WM02DH50M3 为SOT-23-6L 封装的N 沟道 20 / 3 A MOSFET。Pin-to-Pin 兼容替代须同时满足三项：V_DS ≥ 20、R_DS(on) ≤ the original R_DS(on)、以及完全相同的 SOT-23-6L 封装。替换前请核对雪崩耐量与栅极电荷（Q_g≈3.6）是否匹配你的驱动电路。
MOSFET 替代料怎么选？
三个核对点：(1) 耐压 V_DS 须 ≥ 原型号并预留约 20% 尖峰余量；(2) 导通电阻 R_DS(on) 应 ≤ 原型号，且按实际工作温度评估；(3) 封装须一致（TO-220 不可直接换 TO-263）。同时确认栅极电荷 Q_g 与雪崩耐量匹配，否则需重新测试驱动。
对比 MOSFET 时最关键看哪些参数？
重点看 V_DS（耐压）、I_D（按实际壳温而非仅 25 °C 标称的连续电流）、R_DS(on)（导通损耗）、Q_g（开关速度/驱动匹配）。感性负载还需关注雪崩耐量。
怎么判断是原装正品、避免假货？
仅从授权或正规代理渠道采购。到货后核对：(1) 激光丝印，溶剂擦不掉；(2) 标签与器件批次码一致；(3) 原厂编带或管装包装；(4) 索取追溯文件（COC、Date Code）。关键料建议委托第三方 X-ray / 开盖检测。
怎么看芯片丝印和批号？
多数有源器件采用 4 位批号 YYWW（年+周，如 2345 = 2023 第 45 周）。顶面丝印 = 厂牌 LOGO + 基础型号 + 批次码。SMD 丝印反查可用 AllDataSheet / Octopart / 立创，按「丝印码 + 封装」检索。
封装代码（TO-220、SOT-23、QFP 等）是什么意思？
封装代码描述器件的物理外形与引脚排列——采购时至关重要，因为电气性能相同但封装不同的料无法焊接到原 PCB。常见：TO-220（三端功率）、SOT-23（3 脚小信号）、DIP/SOIC（直插/贴片 IC）、QFP/QFN（MCU、处理器）。
原型号停产了（EOL / NRND）怎么办？
三种方案：(1) 原厂推荐替代型号；(2) 授权分销商库存尾货；(3) 功能兼容的跨品牌料——前提是引脚与关键参数匹配。量产前务必在真实电路上验证。
最小起订量（MOQ）和交期是多少？
我们支持样品与小批量、以及批量订单。最小起订量、现货与交期按询价确认——提供型号与数量即可报价。设计验证用样品可申请。
能下载规格书和拿样品吗？
本页提供完整规格书链接。若暂无直接链接，可代为查找原厂资料。样品申请支持——联系时请提供型号与数量。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。