产品概述
STM 三极管封装MOSFET STF13N65M2 为原装正品元器件，适用于相关电路设计与批量采购。我们提供完整规格资料、规格书与灵活报价，支持小批量试样与长期稳定供货。
- 厂商
- STM
- 型号
- STF13N65M2
- 品类
- 三极管封装MOSFET
- 封装
- TO-220FP
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
技术参数
34 项结构与连接
- PTOT Total power dissipation at TC = 25 °C
- 25 W
- VISO
- 2.5 kV
- dv/dt(3) MOSFET dv/dt ruggedness
- 50 V/ns
- VGS = 0 V, VDS = 650
- 1
- VGS = 0 V, VDS = 650 V, TC = 125 °C
- 100
- Ciss Input capacitance
- 590 pF
- Coss Output capacitance VDS= 100 V, f = 1 MHz, VGS = 0
- 27.5 pF
- Crss Reverse transfer capacitance
- 1.1 pF
- Qg Total gate charge
- 17 nC
- Qgs Gate-source charge (see Figure 14. Test circuit for gate
- 3.3 nC
- Gate-drain charge
- 7 nC
- td(on) Turn-on delay time VDD = 325 V, ID = 5 A
- 11 ns
- tr Rise time RG = 4.7 Ω, VGS = 10
- 7.8 ns
- tf Fall time Figure 18. Switching time waveform)
- 12 ns
- trr Reverse recovery time ISD = 10 A, di/dt = 100 A/µs
- 312 ns
- Qrr Reverse recovery charge VDD = 60
- 2.7 µC
- Qrr Reverse recovery charge VDD = 60 V, TJ = 150 °C
- 4.1 µC
性能与环境
- VGS Gate-source voltage
- ±25 V
- Drain current (continuous) at TC = 25 °C
- 10
- Drain current (continuous) at TC = 100 °C
- 6.3
- IDM(1) Drain current (pulsed)
- 40 A
- dv/dt(2) Peak diode recovery voltage slope
- 15 V/ns
- RthJC Thermal resistance, junction-to-case
- 5 °C/W
- RthJA Thermal resistance, junction-to-ambient
- 62.5 °C/W
- VGS(th) Gate threshold voltage VDS = VGS, ID = 250 µA 2
- 3 4V
- RDS(on) Static drain-source on-resistance VGS = 10 V, ID = 5
- 370 430mΩ
- V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage VGS= 0 V, ID = 1 mA
- 650 V
- IGSS Gate-body leakage current VDS = 0 V, VGS = ±25
- ±10 µA
- VGS(th) Gate threshold voltage VDS = VGS, ID = 250 µA
- 3 V
- Rg Intrinsic gate resistance f = 1 MHz, ID = 0
- 6.5 Ω
- ISD Source-drain current
- 10 A
- ISDM (1) Source-drain current (pulsed)
- 40 A
- VSD (2) Forward on voltage VGS = 0 V, ISD = 10
- 1.6 V
- IRRM Reverse recovery current
- 17.5 A
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
采购前常见问题
海外采购高频疑问与选型要点，帮助您在询价前快速核对关键参数与来源。
STF13N65M2 有什么 Pin-to-Pin 直接替代型号？
STF13N65M2 为TO-220FP 封装的N 沟道 3 4V / 10 MOSFET。Pin-to-Pin 兼容替代须同时满足三项：V_DS ≥ 3 4V、R_DS(on) ≤ 370 430mΩ、以及完全相同的 TO-220FP 封装。替换前请核对雪崩耐量与栅极电荷（Q_g≈17 nC）是否匹配你的驱动电路。
MOSFET 替代料怎么选？
三个核对点：(1) 耐压 V_DS 须 ≥ 原型号并预留约 20% 尖峰余量；(2) 导通电阻 R_DS(on) 应 ≤ 原型号，且按实际工作温度评估；(3) 封装须一致（TO-220 不可直接换 TO-263）。同时确认栅极电荷 Q_g 与雪崩耐量匹配，否则需重新测试驱动。
对比 MOSFET 时最关键看哪些参数？
重点看 V_DS（耐压）、I_D（按实际壳温而非仅 25 °C 标称的连续电流）、R_DS(on)（导通损耗）、Q_g（开关速度/驱动匹配）。感性负载还需关注雪崩耐量。
怎么判断是原装正品、避免假货？
仅从授权或正规代理渠道采购。到货后核对：(1) 激光丝印，溶剂擦不掉；(2) 标签与器件批次码一致；(3) 原厂编带或管装包装；(4) 索取追溯文件（COC、Date Code）。关键料建议委托第三方 X-ray / 开盖检测。
怎么看芯片丝印和批号？
多数有源器件采用 4 位批号 YYWW（年+周，如 2345 = 2023 第 45 周）。顶面丝印 = 厂牌 LOGO + 基础型号 + 批次码。SMD 丝印反查可用 AllDataSheet / Octopart / 立创，按「丝印码 + 封装」检索。
封装代码（TO-220、SOT-23、QFP 等）是什么意思？
封装代码描述器件的物理外形与引脚排列——采购时至关重要，因为电气性能相同但封装不同的料无法焊接到原 PCB。常见：TO-220（三端功率）、SOT-23（3 脚小信号）、DIP/SOIC（直插/贴片 IC）、QFP/QFN（MCU、处理器）。
原型号停产了（EOL / NRND）怎么办？
三种方案：(1) 原厂推荐替代型号；(2) 授权分销商库存尾货；(3) 功能兼容的跨品牌料——前提是引脚与关键参数匹配。量产前务必在真实电路上验证。
最小起订量（MOQ）和交期是多少？
我们支持样品与小批量、以及批量订单。最小起订量、现货与交期按询价确认——提供型号与数量即可报价。设计验证用样品可申请。
能下载规格书和拿样品吗？
本页提供完整规格书链接。若暂无直接链接，可代为查找原厂资料。样品申请支持——联系时请提供型号与数量。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。