产品概述
NCE Power（新洁能） NCE70T1K2K（MOSFET-超结(Super-Junction)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- NCE
- 型号
- NCE70T1K2K
- 品类
- 超结MOSFET
- 封装
- TO-252
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
技术参数
33 项结构与连接
- Maximum Power Dissipation(Tc=25℃)
- 41 W
- Single pulse avalanche energy
- 27 mJ
- Reverse diode dv/dt，VDS ≤480 V,ISD<ID dv/dt
- 15 V/ns
- Input Capacitance Clss
- 304 PF
- Output Capacitance Coss
- 17 PF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 0.5 PF
- Total Gate Charge Qg
- 8.8 nC
- Gate-Source Charge Qgs
- 2.3 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 4 nC
- Turn-on Delay Time td(on)
- 8 nS
- Turn-on Rise Time tr VDD=380V,ID=2.5A
- 4 nS
- Turn-Off Delay Time td(off) RG=5Ω,VGS=10V
- 52 nS
- Turn-Off Fall Time tf
- 9 nS
- Reverse Recovery Time trr
- 200 nS
- Reverse Recovery Charge Qrr Tj=25°C,IF=2A,di/dt=100A/μs
- 0.6 uC
- Wuxi NCE Power Co., Ltd
- 8
性能与环境
- Drain-Source Voltage (VGS=0V）
- 700 V
- Gate-Source Voltage (VDS=0V) ,AC (f>1 Hz)
- ±30 V
- Continuous Drain Current at Tc=25°C ID (DC)
- 4 A
- Continuous Drain Current at Tc=100°C ID (DC)
- 2.5 A
- Avalanche current
- 0.7 A
- Drain Source voltage slope, VDS ≤480 V, dv/dt
- 50 V/ns
- Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG
- 55...+150 °C
- Thermal Resistance，Junction-to-Case（Maximum） RthJC
- 3.0 °C/W
- Thermal Resistance，Junction-to-Ambient （Maximum） RthJA
- 62 °C/W
- Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA
- 700 V
- Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=25℃) IDSS VDS=700V,VGS=0V
- 1 μA
- Gate-Body Leakage Current IGSS VGS=±20V,VDS=0V
- ±100 nA
- Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250μA
- 3 V
- Drain-Source On-State Resistance RDS(ON) VGS=10V, ID=2A
- 1100 mΩ
- Source-drain current(Body Diode)
- 4 A
- Forward On Voltage VSD Tj=25°C,ISD=4A,VGS=0V
- 0.9 V
- Peak reverse recovery current Irrm
- 6 A
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
采购前常见问题
海外采购高频疑问与选型要点，帮助您在询价前快速核对关键参数与来源。
NCE70T1K2K 有什么 Pin-to-Pin 直接替代型号？
NCE70T1K2K 为TO-252 封装的N 沟道 700 V / 4 A MOSFET。Pin-to-Pin 兼容替代须同时满足三项：V_DS ≥ 700 V、R_DS(on) ≤ 1100 mΩ、以及完全相同的 TO-252 封装。替换前请核对雪崩耐量与栅极电荷（Q_g≈8.8 nC）是否匹配你的驱动电路。
MOSFET 替代料怎么选？
三个核对点：(1) 耐压 V_DS 须 ≥ 原型号并预留约 20% 尖峰余量；(2) 导通电阻 R_DS(on) 应 ≤ 原型号，且按实际工作温度评估；(3) 封装须一致（TO-220 不可直接换 TO-263）。同时确认栅极电荷 Q_g 与雪崩耐量匹配，否则需重新测试驱动。
对比 MOSFET 时最关键看哪些参数？
重点看 V_DS（耐压）、I_D（按实际壳温而非仅 25 °C 标称的连续电流）、R_DS(on)（导通损耗）、Q_g（开关速度/驱动匹配）。感性负载还需关注雪崩耐量。
怎么判断是原装正品、避免假货？
仅从授权或正规代理渠道采购。到货后核对：(1) 激光丝印，溶剂擦不掉；(2) 标签与器件批次码一致；(3) 原厂编带或管装包装；(4) 索取追溯文件（COC、Date Code）。关键料建议委托第三方 X-ray / 开盖检测。
怎么看芯片丝印和批号？
多数有源器件采用 4 位批号 YYWW（年+周，如 2345 = 2023 第 45 周）。顶面丝印 = 厂牌 LOGO + 基础型号 + 批次码。SMD 丝印反查可用 AllDataSheet / Octopart / 立创，按「丝印码 + 封装」检索。
封装代码（TO-220、SOT-23、QFP 等）是什么意思？
封装代码描述器件的物理外形与引脚排列——采购时至关重要，因为电气性能相同但封装不同的料无法焊接到原 PCB。常见：TO-220（三端功率）、SOT-23（3 脚小信号）、DIP/SOIC（直插/贴片 IC）、QFP/QFN（MCU、处理器）。
原型号停产了（EOL / NRND）怎么办？
三种方案：(1) 原厂推荐替代型号；(2) 授权分销商库存尾货；(3) 功能兼容的跨品牌料——前提是引脚与关键参数匹配。量产前务必在真实电路上验证。
最小起订量（MOQ）和交期是多少？
我们支持样品与小批量、以及批量订单。最小起订量、现货与交期按询价确认——提供型号与数量即可报价。设计验证用样品可申请。
能下载规格书和拿样品吗？
本页提供完整规格书链接。若暂无直接链接，可代为查找原厂资料。样品申请支持——联系时请提供型号与数量。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。