产品概述
Longteng (龙腾半导体) LSGT12R022（SJ MOSFET(超级结)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 龙腾
- 型号
- LSGT12R022
- 品类
- 超结MOSFET
- 封装
- TOLL
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
技术参数
39 项结构与连接
- (TC = 25°C ,Silicon limit)
- 335 A
- (TC = 25°C, Package limit)
- 372 A
- (TC = 100°C,Silicon limit )
- 212 A
- Avalanche energy 3)
- 1521 mJ
- Power Dissipation
- 481 W
- RθJA
- 62 °C/W
- Tsold
- 260 °C
- LSGT12R022 TOLL LSGT12R022
- 200 0
- VDS=120V, VGS=0V, TJ = 25°C
- 1 μA
- VDS=120V, VGS=0V, TJ = 150°C
- 100 μA
- VGS=10V, ID=50 A，TJ = 25°C
- 1.75
- Forward transconductance gfs VDS =20V , ID=50A
- 127.7 S
- Input capacitance Ciss
- 10066
- Output capacitance Coss
- 3288 pF
- Reverse transfer capacitance Crss
- 50
- Turn-on delay time td(on)
- 116.2
- Rise time tr VDD = 60V, VGS =10V
- 145.3
- Turn-off delay time td(off) ID = 50A, Rg = 10Ω
- 108.7
- Fall time tf
- 43.2
- Gate to source charge Qgs
- 53.4
- Gate to drain charge Qgd
- 27.5 nC
- Gate charge total Qg
- 140.4
- Output Charge Qoss VDS=120V,VGS= 0V
- 421 nC
- Reverse Recovery Time trr IS=50A, di/dt=100A/us, TJ=25℃
- 93.3 ns
- Reverse Recovery Charge Qrr
- 228.7 nC
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 120 V
- Gate-Source voltage
- ±20 V
- Storage Temperature Range TSTG -5
- 5 to +150 °C
- Operating Junction Temperature Range TJ -5
- 5 to +150 °C
- Thermal Resistance, Junction-to-Case RθJC
- 0.26 °C/W
- Drain-source breakdown voltage BVDSS VGS=0 V, ID=250uA
- 120 V
- Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS, ID=250uA
- 3.4 V
- Gate leakage current, Forward IGSSF VGS=20V, VDS=0V
- 100 nA
- Gate leakage current, Reverse IGSSR VGS=-20V, VDS=0V
- 100 nA
- Gate resistance Rg VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz
- 0.99 Ω
- Gate plateau voltage Vplateau
- 5.5 V
- Continuous Source Current
- 335 A
- Diode Forward Voltage VSD VGS=0V, IS=50A, TJ=25℃
- 1.1 V
- Peak reverse recovery current Irrm
- 3.87 A
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
采购前常见问题
海外采购高频疑问与选型要点，帮助您在询价前快速核对关键参数与来源。
LSGT12R022 有什么 Pin-to-Pin 直接替代型号？
LSGT12R022 为TOLL 封装的N 沟道 120 V / 120 V MOSFET。Pin-to-Pin 兼容替代须同时满足三项：V_DS ≥ 120 V、R_DS(on) ≤ the original R_DS(on)、以及完全相同的 TOLL 封装。替换前请核对雪崩耐量与栅极电荷（Q_g≈53.4）是否匹配你的驱动电路。
MOSFET 替代料怎么选？
三个核对点：(1) 耐压 V_DS 须 ≥ 原型号并预留约 20% 尖峰余量；(2) 导通电阻 R_DS(on) 应 ≤ 原型号，且按实际工作温度评估；(3) 封装须一致（TO-220 不可直接换 TO-263）。同时确认栅极电荷 Q_g 与雪崩耐量匹配，否则需重新测试驱动。
对比 MOSFET 时最关键看哪些参数？
重点看 V_DS（耐压）、I_D（按实际壳温而非仅 25 °C 标称的连续电流）、R_DS(on)（导通损耗）、Q_g（开关速度/驱动匹配）。感性负载还需关注雪崩耐量。
怎么判断是原装正品、避免假货？
仅从授权或正规代理渠道采购。到货后核对：(1) 激光丝印，溶剂擦不掉；(2) 标签与器件批次码一致；(3) 原厂编带或管装包装；(4) 索取追溯文件（COC、Date Code）。关键料建议委托第三方 X-ray / 开盖检测。
怎么看芯片丝印和批号？
多数有源器件采用 4 位批号 YYWW（年+周，如 2345 = 2023 第 45 周）。顶面丝印 = 厂牌 LOGO + 基础型号 + 批次码。SMD 丝印反查可用 AllDataSheet / Octopart / 立创，按「丝印码 + 封装」检索。
封装代码（TO-220、SOT-23、QFP 等）是什么意思？
封装代码描述器件的物理外形与引脚排列——采购时至关重要，因为电气性能相同但封装不同的料无法焊接到原 PCB。常见：TO-220（三端功率）、SOT-23（3 脚小信号）、DIP/SOIC（直插/贴片 IC）、QFP/QFN（MCU、处理器）。
原型号停产了（EOL / NRND）怎么办？
三种方案：(1) 原厂推荐替代型号；(2) 授权分销商库存尾货；(3) 功能兼容的跨品牌料——前提是引脚与关键参数匹配。量产前务必在真实电路上验证。
最小起订量（MOQ）和交期是多少？
我们支持样品与小批量、以及批量订单。最小起订量、现货与交期按询价确认——提供型号与数量即可报价。设计验证用样品可申请。
能下载规格书和拿样品吗？
本页提供完整规格书链接。若暂无直接链接，可代为查找原厂资料。样品申请支持——联系时请提供型号与数量。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。