产品概述
Infineon IRFB7540PBF（MOSFET(HEXFET功率)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 英飞凌
- 型号
- IRFB7540PBF
- 品类
- MOSFET(HEXFET功率)
- 封装
- TO-220
- 包装
- 管装
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
技术参数
39 项结构与连接
- PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation
- 160 W
- Linear Derating Factor
- 1.1 W/°C
- EAS (Thermally limited) Single Pulse Avalanche Energy
- 180
- EAS (Thermally limited) Single Pulse Avalanche Energy
- 313
- RJC Junction-to-Case
- 0.95
- RCS Case-to-Sink, Flat Greased Surface (TO-220)
- 0.50
- RJA Junction-to-Ambient (TO-220)
- 62
- RJA Junction-to-Ambient (PCB Mount) (D2Pak)
- 40
- Gate-to-Source Forward Leakage
- 00 VGS=20V
- Gate-to-Source Reverse Leakage
- 100 VGS=-20V
- gfs Forward Transconductance
- 110
- Qg Total Gate Charge
- 88 ID=65A
- Qgs Gate-to-Source Charge
- 22 VDS=30V
- Qgd Gate-to-Drain Charge
- 28 VGS=10V
- Qsync Total Gate Charge Sync. (Qg – Qgd)
- 60
- td(on) Turn-On Delay Time
- 12 VDD=30V
- tr Rise Time
- 76 ID=65A
- td(off) Turn-Off Delay Time
- 58 RG=2.7
- tf Fall Time
- 56 VGS=10V
- Ciss Input Capacitance
- 4555 VGS=0V
- Coss Output Capacitance
- 415 VDS=25V
- Crss Reverse Transfer Capacitance
- 270
- Coss eff.(ER)
- 430
- Coss eff.(TR) Output Capacitance (Time Related)
- 550
- IS
- 110
- ISM
- 430
- dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt
- 11
性能与环境
- ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V
- 110
- ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V
- 80 A
- IDM Pulsed Drain Current
- 430
- VGS Gate-to-Source Voltage
- ± 20 V
- Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)
- 300
- V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage
- 60
- V(BR)DSS/TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient
- 48
- RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance
- 4.2
- VGS(th) Gate Threshold Voltage
- 3.7
- RG Gate Resistance
- 2.2
- VSD Diode Forward Voltage
- 1.2
- IRRM Reverse Recovery Current
- 1.9
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
采购前常见问题
海外采购高频疑问与选型要点，帮助您在询价前快速核对关键参数与来源。
IRFB7540PBF 有什么 Pin-to-Pin 直接替代型号？
IRFB7540PBF 为TO-220 封装的N 沟道 60 / 110 MOSFET。Pin-to-Pin 兼容替代须同时满足三项：V_DS ≥ 60、R_DS(on) ≤ 4.2、以及完全相同的 TO-220 封装。替换前请核对雪崩耐量与栅极电荷（Q_g≈88 ID=65A）是否匹配你的驱动电路。
MOSFET 替代料怎么选？
三个核对点：(1) 耐压 V_DS 须 ≥ 原型号并预留约 20% 尖峰余量；(2) 导通电阻 R_DS(on) 应 ≤ 原型号，且按实际工作温度评估；(3) 封装须一致（TO-220 不可直接换 TO-263）。同时确认栅极电荷 Q_g 与雪崩耐量匹配，否则需重新测试驱动。
对比 MOSFET 时最关键看哪些参数？
重点看 V_DS（耐压）、I_D（按实际壳温而非仅 25 °C 标称的连续电流）、R_DS(on)（导通损耗）、Q_g（开关速度/驱动匹配）。感性负载还需关注雪崩耐量。
怎么判断是原装正品、避免假货？
仅从授权或正规代理渠道采购。到货后核对：(1) 激光丝印，溶剂擦不掉；(2) 标签与器件批次码一致；(3) 原厂编带或管装包装；(4) 索取追溯文件（COC、Date Code）。关键料建议委托第三方 X-ray / 开盖检测。
怎么看芯片丝印和批号？
多数有源器件采用 4 位批号 YYWW（年+周，如 2345 = 2023 第 45 周）。顶面丝印 = 厂牌 LOGO + 基础型号 + 批次码。SMD 丝印反查可用 AllDataSheet / Octopart / 立创，按「丝印码 + 封装」检索。
封装代码（TO-220、SOT-23、QFP 等）是什么意思？
封装代码描述器件的物理外形与引脚排列——采购时至关重要，因为电气性能相同但封装不同的料无法焊接到原 PCB。常见：TO-220（三端功率）、SOT-23（3 脚小信号）、DIP/SOIC（直插/贴片 IC）、QFP/QFN（MCU、处理器）。
原型号停产了（EOL / NRND）怎么办？
三种方案：(1) 原厂推荐替代型号；(2) 授权分销商库存尾货；(3) 功能兼容的跨品牌料——前提是引脚与关键参数匹配。量产前务必在真实电路上验证。
最小起订量（MOQ）和交期是多少？
我们支持样品与小批量、以及批量订单。最小起订量、现货与交期按询价确认——提供型号与数量即可报价。设计验证用样品可申请。
能下载规格书和拿样品吗？
本页提供完整规格书链接。若暂无直接链接，可代为查找原厂资料。样品申请支持——联系时请提供型号与数量。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。